新華社上海9月17日電(記者高少華)上海華虹(集團)有限公司無錫集成電路研發和制造基地(一期)12英寸生產線17日正式投片,開始55納米芯片產品制造,標志該項目由工程建設期正式邁入生產運營期。
華虹無錫集成電路研發和制造基地總投資100億美元,一期項目投資約25億美元,主要建設一條90-65/55納米、月產能為4萬片的12英寸特色集成電路生產線。
華虹集團黨委書記、董事長張素心表示,作為長三角一體化聯動滬蘇兩地的重大產業項目,華虹無錫項目是華虹集團走出上海、布局全國的第一個制造業項目,同時也是無錫市迄今規模最大的單體投資項目。華虹無錫項目建成投產,將成為全國首條12英寸功率器件代工生產線、江蘇省第一條自主可控12英寸生產線。
根據規劃,華虹無錫集成電路研發和制造基地(一期)生產線項目工藝技術平臺覆蓋移動通信、物聯網、智能家居、人工智能、新能源汽車等新興應用領域,將進一步滿足業界對中高端芯片產品需求。
華虹集團是國家“909”工程的成果與載體,也是我國發展自主可控集成電路產業的先行者和主力軍。目前華虹集團在上海和江蘇無錫布局了四個制造基地,已經投產3條8英寸、2條12英寸生產線。