長鑫存儲內存芯片自主制造項目投產

　　新華社合肥9月20日電（記者董雪）20日在安徽合肥召開的2019世界制造業大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。

　　該項目以打造設計和制造一體化的內存芯片國產化制造基地為目標，2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產投與細分存儲器國產領軍企業兆易創新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業項目。目前，項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

　　國家重大專項01專項專家組組長、清華大學微電子所所長魏少軍，國家重大專項01專項專家組專家、中國科學技術大學特聘教授陳軍寧等業內權威專家表示，這標志我國在內存芯片領域實現量產技術突破，擁有了這一關鍵戰略性元器件的自主產能。

　　DRAM即動態隨機存取存儲器，是芯片產業中產值占比最大的單一品類。2018年，中國芯片進口額超過3000億美元，這個單一品類就占到了其中的兩成以上。其作為最常見的內存芯片，被喻為連接中央處理器的“數據高速公路”，廣泛應用于高性能計算、工業設備、消費電子等電子產品之中。

　　據魏少軍等專家介紹，我國雖是該芯片的最大應用市場，此前卻始終未能出現實現量產的國產項目，沒有掌握自主產能。

　　長鑫存儲投產的產品是現在全球市場上的主流產品。“投產的8Gb DDR4通過了多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。”大會現場，長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明手持一顆指甲蓋大小的芯片說。