金獎是這樣煉成的

　　日前，在第31屆半導體年度獎頒獎典禮上，來自濟南的中國半導體材料領域領軍企業——山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”），斬獲“半導體電子材料”類金獎，引起業界和媒體廣泛關注。含金量十足的“意外”大獎

　　在天岳先進市場總監王雅儒看來，獲得這個國際金獎，多少有些意外。

　　之所以說意外，在于這個大獎不是獲獎者主動申報的，而是主辦方根據企業在該領域取得的突破性技術創新成果，主動將其納入參評范圍，并由行業專家從全球眾多優秀技術中投票選舉產生的。

　　而該獎項之所以引人矚目，一方面在于獎項的含金量，另一方面則是它所體現的突破性。

　　先說含金量。

　　半導體年度獎由日本最具影響力的半導體產業專業媒體《電子器件產業新聞》主辦，主要表彰全球范圍內的半導體設備、器件及電子材料三大領域的杰出技術創新，獎項以嚴苛的評選標準和極高的行業權威性著稱。

　　再看看獎項設立以來的獲獎企業：英偉達、索尼、美光、東芝、住友電工、昭和電工……這些屢次登上領獎臺的企業，要么是國際產業巨頭，要么是在某一領域有突出貢獻的半導體企業。而在半導體電子材料領域，歷年金獎得主無一不是掌握核心專利、主導國際標準的全球行業領導者。

　　再說突破性。

　　半導體年度獎已設立31年，此前30年，這個國際大獎一直是美日歐企業的囊中之物，沒有中國企業登上最高領獎臺；而在半導體電子材料領域，此前也沒有專注于碳化硅襯底材料的高科技企業獲獎，這次是半導體年度獎首次將最高榮譽授予碳化硅襯底材料技術。

　　不僅如此，此次半導體年度獎評選，天岳先進并不是“半導體電子材料”類金獎的唯一入圍者，參評企業不乏三井化學、三菱材料等日本頂尖半導體材料巨頭。最終，天岳先進力壓多個強勁對手，一舉奪魁。

　　這標志著中國企業由此成功躋身全球頂尖半導體企業行列，既是國際社會對中國半導體企業技術實力與成就的高度肯定，彰顯了中國新一代半導體材料技術的國際領先地位，也凸顯了半導體材料領域的技術演進方向，對碳化硅半導體材料行業的長足發展必將產生深遠的影響。

　　讓世界用上“中國芯”

　　成立至今不過十幾年時間，天岳先進的國際金獎，是怎么煉成的？

　　說這個之前，先聊聊天岳先進的核心產品——碳化硅襯底。

　　作為第三代半導體材料的核心和基石，碳化硅是支撐新能源汽車、綠色能源、5G/6G通信、數據中心等戰略性新興產業發展的根本所在。

　　相較于傳統硅基材料，碳化硅的禁帶寬度、擊穿電場強度、熱導率分別提升3倍、10倍、3倍以上，在以新能源汽車、光伏、儲能為代表的綠色能源，以及5G、6G等新一代通信領域，具有減小體積、簡化系統、提升功率密度等優勢。

　　搭載碳化硅襯底生產的芯片的電動汽車，與硅基芯片相比，車輛實現簡化和減重，可大幅提升續航里程；碳化硅芯片用在風能、太陽能發電的逆變器上，功率密度比硅基芯片提高3倍，體積減小40%～60%，損耗降低50%以上。

　　可以說，碳化硅已成為當今全球半導體產業的“戰略必爭地”。而其襯底材料的品質與制備技術，直接決定了整個產業鏈的性能、成本和下游應用的普及度。

　　但在過去很長一段時間里，這條產業鏈的主動權被美日企業牢牢攥住，中國在技術、產能等方面受制于人。

　　在此背景下，2010年，天岳先進在濟南成立，開始涉足方興未艾的碳化硅半導體技術，由此開啟了碳化硅技術攻堅與產業破局之旅。

　　一項高新技術的產業化之路，注定困難重重。天岳先進研發人員十余年堅持不懈向“材料界的珠峰”攀登。

　　在實驗室里，研發團隊最初面對的是“復雜且精密的控制參數要求”——

　　碳化硅晶體生長，需要在2000℃以上的高溫和接近真空的低壓環境下，通過濃度和溫度梯度作用，將氣態碳、硅原子傳輸至位于生長腔室頂部的籽晶附近，并實現重新排列，最終形成厘米級厚度的晶體；其生長周期長達數十小時甚至近百小時，過程中對溫度、壓力、組分配比等參數要求極高，微小的環境變量波動都有可能導致缺陷，進而影響晶體質量。

　　“我們像‘拆積木’一樣研究設備原理，自己設計高溫爐、改造氣體控制系統，光是高溫爐設計就改了幾十版。”天岳先進首席技術官高超回憶說。

　　如何把“卡脖子”技術變成自己的“殺手锏”？

　　轉機出現在2015年。這一年，天岳先進攻克了“物理氣相傳輸法（PVT）”的核心瓶頸，成功生長出高品質6英寸導電型碳化硅襯底。

　　高品質、大尺寸碳化硅襯底的制備技術壁壘極高，是國際競爭的焦點。天岳先進通過長期深耕襯底材料研發，在材料晶體生長、缺陷控制、加工工藝等核心環節取得了一系列突破性進展，不僅攻克了大尺寸化等世界級難題，更在材料性能上達到國際領先水平。

　　2019年，天岳先進成功研發8英寸襯底，成為國內首家、全球少數實現8英寸碳化硅襯底量產的企業；

　　2024年11月，天岳先進發布業內首款12英寸碳化硅襯底產品，宣告寬禁帶半導體行業正式邁入超大尺寸碳化硅襯底新時代；

　　今年3月26日，12英寸高純半絕緣、p型碳化硅襯底在上海發布，天岳先進全面邁進12英寸碳化硅新時代。

　　時至今日，天岳先進已穩居國際碳化硅襯底領域第一梯隊：

　　據國際權威機構KnowMade最新數據，截至2024年年底，天岳先進在碳化硅領域已累計獲得538項專利，位列全球前五。

　　憑借技術、產能等方面的核心競爭力，全球前十大功率半導體器件制造商，半數以上已成為天岳先進的客戶。據權威行業調研機構日本富士經濟報告測算，2024年全球導電型碳化硅襯底材料市場，天岳先進市占率為22.80%，全球排名第二。

　　從“點狀突破”到“全面開花”

　　從實驗室里一片薄如蟬翼的碳化硅晶體，到站上國際舞臺的“中國芯”基石；從“追趕者”，到主導行業發展的“引領者”。

　　天岳先進用十余年時間，成功實現了從技術追趕到國際并跑再到關鍵領域引領的跨越，成為全球半導體材料領域的創新標桿。

　　天岳先進的獲獎之路，不僅是一家科技企業“十年磨一劍”的創新史詩，更是中國半導體材料產業從“受制于人”到“自主可控”的縮影。

　　在其背后，也折射出濟南在電子信息產業全產業鏈布局中，以“硬核技術”撬動全球產業格局的深層邏輯。

　　多年來，濟南始終將電子信息產業作為支柱產業之一加以重點培育，多方攜手深耕電子信息產業“根技術”，構建“基礎研究-技術攻關-成果轉化-產業集聚”全鏈條的創新生態，已逐步構建起以服務器為核心、半導體材料為引領、集成電路為基礎的電子信息產業發展格局，形成了“材料-芯片-器件-應用”的完整產業鏈。

　　近年來，濟南在半導體材料研制、EDA工具研發、存儲控制及加解密芯片研發、功率器件和分立器件制造等領域已形成自己的特色，尤其在寬禁帶半導體材料、高端服務器等細分領域，已達到國際領先水平。

　　2024年，濟南電子信息產業實現營收1643.9億元，同比增長51.7%，增速高于全國43.7個百分點，居全省首位；2025年1-4月實現營收948.2億元，同比增速182.4%。

　　這一驕人業績的取得，是以天岳先進為代表的眾多科技企業從點狀突破到全面開花的結果。

　　“這次獲獎給我們注入了更大信心和動力，我們將以此次金獎為新起點，加速構建覆蓋研發、量產到應用的全球核心競爭力，把企業做成國際著名的半導體公司，為未來科技產業發展注入中國力量。”天岳先進黨委書記夏寧武說。

　　當碳化硅襯底的光芒照亮濟南的夜空，這座千年古城正以“硬科技”為筆，在電子信息產業版圖上書寫新的傳奇——這里不僅有“國際金獎”的榮耀，更有“中國智造”的未來。

　　（濟南日報·愛濟南記者劉文忠）